V Electronics Workbench so na voljo bipolarni spojni in poljski tranzistorji. Modeli elemetov so že pripravljeni in enega izmed njih samo izberemo. Tranzistor ima tri zunanje priklučke, ki se imenujejo emitor (E)
, baza (B)
in kolektor (C)
.Tranzistor je element z dvema PN-spojema. Med emitorjem in bazo je emitorsko-bazni spoj ali kratko emitorski spoj, medtem ko je med kolektorjem in bazo kolektorko-bazni spoj ali krajše kolektorski spoj. Emitor se od kolektorja razlikuje po tem, da ima puščico. Puščica je vedno usmerjena v tisto smer, v kateri teče pri prevodni emitorski napetosti emitorski tok.
Unipolarni tranzistor je krmiljeni upor, ki se mu upornost spreminja z zunanjim priključenim signalom. Ta upor imenujemo tudi kanal
. Če je v kanalu več elektronov kot vrzeli, se kanal imenuje N-kanal. Če pa je v kanalu več vrzeli kot elektonov pa se kanal imenuje P-kanal.
Spojni FET, je tranzistor z učinkom polja ali krajše poljski tranzistor
, saj je v tranzistorju poljski tok.
Mosfet je unipolarni tranzistor z izolirano krmilno elektrodo. Tak tranzistor ima prevodni kanal, ki je lahko tehnološko vgrajen ali induciran. Zato ločimo dve vrsti takšnih tranzistorjev in sicer : MOS tranzistor z vgrajenim kanalom
MOS tranzistor z induciranim kanalom
.
JFET z n kanalom je unipolarni, napetostno spremenljiv tranzistor, v katerem so vrata sestavljena iz p-plasti, le ta pa obdana s n-plastjo.
JFET z p kanalom je unipolarni, napetostno spremenljiv tranzistor, v katerem so vrata sestavljena iz n-plasti, le ta pa obdana s p-plastjo.
MOSFET z vgrajenim n kanalom je unipolaren tranzistor, ki ima kanal zgrajen iz n tipa polprevodnika.
MOSFET z vgrajenim p kanalom je podoben tranzistorju z vgrajenim n kanalom. Razlika je le v tem, da se kanal pojavi šele pri priključitvi dovolj velike napetosti na krmilno elektrodo.
MOSFET z induciranim n kanalom je unipolaren tranzistor, ki ima induciran kanal iz n tipa polprevodnika.
MOSFET z induciranim p kanalom je unipolaren tranzistor, ki se razlikuje od MOSFETA z induciranim p kanalom le v tipu polprevodnika.
MOSFET z induciranim n kanalom s štirimi priključki ima štiri prikljucke, ker svinčev substrat ni povezan z izvorom.
MOSFET z induciranim p kanalom s štirimi priključki. je podoben MOSFETu z induciranim n kanalom s štirimi priključki. Razlikuje ta se le v tipu polprevodnika.
Z združitvijo treh plasti polprevodnika, katerim se izmenoma menja vrsta primesi, nastane bipolarni tranzistor. Ločimo dve zgradbi bipolarnega tranzistorja in sicer PNP tranzistor in NPN tranzistor. Razlika med njima je v tem, da emitor PNP tranzistorja oddaja v bazo vrzeli
, emitor NPN tranzistorja pa elektrone
.
NPN tranzistor je bipolarni tranzistor s kolektorsko in emitorsko plastjo, ki sta ločeni s p-plastjo.
PNP tranistor je bipolarni tranzistor s kolektorsko in emitorsko plastjo, ki sta ločeni z n-plastjo.
SERŠ Maribor : Strokovna gimnazija : 1998 : Leonard Polanec, Darko Kostić, Kristjan Njakaš